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碳化硅陶瓷的優良特性與制備方法
碳化(hua)(hua)硅陶(tao)(tao)瓷是(shi)以碳化(hua)(hua)硅原料(liao)為主的經過各種工藝制成的一種特種陶(tao)(tao)瓷，下(xia)面(mian)首(shou)先了解下(xia)碳化(hua)(hua)硅陶(tao)(tao)瓷的優良(liang)特性： 碳化(hua)(hua)硅陶(tao)(tao)瓷主要有抗(kang)氧化(hua)(hua)性、導電(dian)性、硬度高(gao)、較(jiao)高(gao)的導熱率(lv)等。

ü  抗(kang)氧化(hua)性 碳化(hua)硅陶瓷在(zai)800-1140度時(shi)抗(kang)氧化(hua)性較(jiao)差(cha)，在(zai)1140-1600度時(shi)抗(kang)氧化(hua)性非(fei)常    好，高(gao)于1750度時(shi)，氧化(hua)膜(mo)被破壞，抗(kang)氧化(hua)性急(ji)劇(ju)下(xia)降(jiang)。

ü  導(dao)(dao)電性(xing) 純(chun)碳化(hua)硅是電絕緣體，但(dan)是碳化(hua)硅陶(tao)瓷里面含有各種雜(za)質，因此具備了一些導(dao)(dao)電性(xing)能。

ü  硬度(du)高(gao) 碳化硅陶(tao)瓷(ci)的硬度(du)性能，是由(you)碳化硅本身決定的，隨著溫度(du)的升高(gao)，碳化硅陶(tao)瓷(ci)的硬度(du)并不下降(jiang)。

ü   導熱率(lv)  在室溫情況下，碳(tan)化硅陶瓷的導熱率(lv)是相當高的。 

在了解了他的優良特性后，我們會想，碳化硅陶瓷究竟是如何制備而成的呢，由于碳化硅陶瓷的各種優良性能，因此人們非常認可碳化硅陶瓷，所以對碳化硅陶瓷的開發和研制也是非常多的，下面講幾種制備碳化硅陶瓷的方法：
  （1）熱壓碳化硅陶瓷  雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密，但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類：一類與碳化硅中的雜質形成液相，通過液相促進燒結；一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。
  （2）常壓碳化硅陶瓷 常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅，在燒結到2100度以上的溫度下，生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。
  （3）反應碳化硅陶瓷  反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例(li)混合壓成(cheng)坯體塊,加(jia)熱到1650度(du)左右，通過氣相與C反應生成(cheng)。